Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RS1JL MHG
DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1JL
RS1JL MHG Hakkında
RS1JL MHG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 600V ters gerilim kapasitesine sahip hızlı geri kazanımlı genel amaçlı doğrultucu diyottur. 800mA ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ve 250ns geri kazanım süresi (reverse recovery time) ile anahtarlamalı güç kaynakları, AC/DC konvertörler ve diyot köprü uygulamalarında kullanılır. DO-219AB (Sub SMA) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarım gerektiren cihazlarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bileşen, 1.3V ön gerilim düşümü ve 5µA ters kaçak akımı özellikleriyle düşük güç tüketimi gereken uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 800mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 250 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 800 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok