Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

RS1GLHR3G

DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Paket/Kılıf
DO-219AB
Seri / Aile Numarası
RS1GLHR3G

RS1GLHR3G Hakkında

RS1GLHR3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultucu diyottur. 400V ters voltaj ve 800mA ortalama doğrultulanmış akım kapasitesine sahip bu bileşen, hızlı iyileştirme türü (fast recovery) diyot kategorisinde yer almaktadır. 150 ns ters iyileştirme zamanı (trr) ile anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Sub SMA (DO-219AB) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında, güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler ve anahtarlama devreleri gibi alanlarda kullanılır. 5µA @ 400V ters sızıntı akımı ve 1.3V @ 800mA ileri voltaj düşümü özellikleri ile verimli doğrultma sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 800mA
Current - Reverse Leakage @ Vr 5 µA @ 400 V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Package / Case DO-219AB
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 150 ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package Sub SMA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3 V @ 800 mA

Kaynaklar

Datasheet

RS1GLHR3G PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok