Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

RS1GL RTG

DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Paket/Kılıf
DO-219AB
Seri / Aile Numarası
RS1GL

RS1GL RTG Hakkında

RS1GL RTG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 400V 800mA kapasiteli genel amaçlı hızlı iyileştirme diyotudur. DO-219AB (Sub SMA) yüzey montaj paketinde sunulan bu diyot, 150 ns reverse recovery time ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. 1.3V maksimum forward voltaj düşüşü ve 5µA reverse leakage akımı ile verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, endüstriyel güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve AC/DC konverter uygulamalarında kullanılır. Surface mount teknolojisi sayesinde yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 800mA
Current - Reverse Leakage @ Vr 5 µA @ 400 V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Package / Case DO-219AB
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 150 ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package Sub SMA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3 V @ 800 mA

Kaynaklar

Datasheet

RS1GL RTG PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok