Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RS1GL M2G
DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1GL
RS1GL M2G Hakkında
RS1GL M2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 400V 800mA kapasiteli genel amaçlı fast recovery diyottur. DO-219AB (Sub SMA) yüzey montaj paketinde sunulan bu diyot, 150 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, maksimum 1.3V forward voltage düşüşü ile düşük kayıp sağlar. 5 µA reverse leakage akımı ile güvenilir performans gösterir. Anahtarlama güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler, freewheeling diyodu uygulamaları ve hızlı komütasyon gerektiren elektronik devrelerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 800mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 400 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 400 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 800 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok