Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RS1DLHMTG
DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1DLHMTG
RS1DLHMTG Hakkında
RS1DLHMTG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyotudur. 200V ters gerilim ve 800mA ortalama doğrultma akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 150ns reverse recovery time ile hızlı açılma/kapanma işlemleri gerçekleştirir. Sub SMA (DO-219AB) yüzey montajı paketinde sunulan diyot, güç kaynağı devreleri, inverter uygulamaları ve switching mode güç kaynakları (SMPS) gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen diyot, kompakt tasarımı ve güvenilir performansı ile yoğun kullanım alanlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 800mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 800 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok