Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RS1DLHM2G
DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1DLHM2G
RS1DLHM2G Hakkında
RS1DLHM2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı hızlı recovery diyotudur. 200V ters gerilim ve 800mA ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip olan bu diyot, Sub SMA yüzey montajlı paket içinde gelmektedir. 150ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 1.3V ileri gerilime sahip olan RS1DLHM2G, güç kaynakları, ac/dc dönüştürücüler, anahtarlamalı kuvvet kaynakları ve doğrultma devreleri gibi uygulamalarda yerini almaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 800mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 800 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok