Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RS1DL RQG
DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1DL
RS1DL RQG Hakkında
RS1DL RQG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı hızlı iyileşmeli (fast recovery) diyottur. 200V ters voltaj ve 800mA ortalama doğrultma akımı kapasitesiyle, anahtarlama devreleri, güç kaynakları ve AC/DC dönüştürücülerde kullanılır. 150ns ters iyileşme süresi (trr) ile düşük kayıp ve hızlı anahtarlama performansı sağlar. DO-219AB (Sub SMA) surface mount paketlemesi küçük ve kompakt tasarımlara olanak tanır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve ticari uygulamalara uygun.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 800mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 800 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok