Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RS1DL R3G
DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1DL
RS1DL R3G Hakkında
RS1DL R3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultma diyodudur. 200V ters gerilim daya ve 800mA ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. Fast Recovery diyot olarak 150ns ters toparlanma zamanı ile kullanılır. Sub SMA (DO-219AB) SMD paketlemesinde sunulan bu diyot, 1.3V maksimum ileri gerilimde çalışır ve -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. Anahtarlı güç kaynakları, invertörler ve akım düzenleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 5µA ters sızıntı akımı ile düşük kaçak karakteristikleri vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 800mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 800 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok