Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RS1DL M2G
DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1DL
RS1DL M2G Hakkında
RS1DL M2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyotudur. 200V ters voltaj kapasitesine sahip bu bileşen, 800mA ortalama düzeltilmiş akım ile çalışabilir. DO-219AB (Sub SMA) yüzey monte paketinde sunulan diyot, 150ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.3V forward voltaj düşüşü ve 5µA ters sızıntı akımı özellikleri ile AC/DC konvertörleri, güç kaynakları ve anahtarmalı güç devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu komponentin 10pF kapasitansı, yüksek frekanslı devrelerde düşük parazitik etki sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 800mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 800 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok