Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RS1BLHR3G
DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1BLHR3G
RS1BLHR3G Hakkında
RS1BLHR3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen standart doğrultma diyotudur. 100V ters voltaj ve 800mA ortalama doğrultma akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, fast recovery özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. DO-219AB (Sub SMA) paketinde sunulan diyot, 150ns reverse recovery time ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen RS1BLHR3G, güç kaynakları, AC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve genel amaçlı doğrultma devrelerinde uygulanır. 1MHz'de 10pF kapasitans ve 100V'da 5µA ters sızıntı akımı karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 800mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 800 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok