Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RS1BLHMHG
DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1BLHMHG
RS1BLHMHG Hakkında
RS1BLHMHG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyotudur. 100V ters voltaj ve 800mA ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip bu komponent, Surface Mount (Sub SMA/DO-219AB) paketinde sunulmaktadır. 150ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanıma uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. Forward voltajı 800mA'de 1.3V maksimum, ters akım sızıntısı 100V'da 5µA'dir. Bu diyot, AC/DC güç kaynakları, invertörler, hızlı anahtarlamalı regülatörler ve yüksek frekanslı rectifier uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 800mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 800 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok