Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RS1BL RTG
DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1BL
RS1BL RTG Hakkında
RS1BL RTG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultma diyotudur. 100V ters gerilim ve 800mA ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip fast recovery diyot olarak tasarlanmıştır. 150ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Sub SMA (DO-219AB) yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışmaktadır. Düşük forward voltage (1.3V @ 800mA) ve minimal reverse leakage current (5µA @ 100V) karakteristiğine sahiptir. Anahtarlama güç kaynakları, adaptörler, LED sürücüleri ve diğer doğrultma uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 800mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 800 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok