Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RS1BL RQG
DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1BL
RS1BL RQG Hakkında
RS1BL RQG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyotudur. Sub SMA (DO-219AB) paketinde sunulan bu komponent, 100V reverse voltage ve 800mA ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. 150ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama gerektiren DC güç kaynakları, AC doğrultma devreleri, anahtarmalı güç kaynakları ve diğer anahtarlamalı uygulamalarda kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu diyot, 1.3V forward voltage ve 5µA reverse leakage current özellikleriyle verimli doğrultma performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 800mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 800 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok