Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RS1BL M2G
DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1BL
RS1BL M2G Hakkında
RS1BL M2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyotudur. 100V ters voltaj toleransı ve 800mA ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 150ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. DO-219AB (Sub SMA) yüzey montajlı paketinde sunulan bu diyot, LED sürücüleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç düzenleme devrelerinde yer alır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. 1.3V maksimum forward voltaj ve 5µA maksimum reverse leakage current özellikleriyle düşük enerji kaybı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 800mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 800 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok