Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RS1ALHR3G
DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1ALHR3G
RS1ALHR3G Hakkında
RS1ALHR3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı hızlı recovery diyotudur. 50V ters gerilim ve 800mA ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 150ns reverse recovery time ile sahip olduğu hızlı anahtarlama özelliği, anahtarlamalı güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve diyot köprüleri gibi uygulamalarda tercih edilmesini sağlar. Surface mount Sub SMA paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 1.3V tipik forward voltage ile minimum güç kaybı sağlayan bir doğrultma diyotudur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 800mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 50 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 50 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 800 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok