Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RS1ALHM2G
DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1ALHM2G
RS1ALHM2G Hakkında
RS1ALHM2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultucu diyottur. 50V ters voltaj kapasitesinde ve 800mA ortalama doğrultulmuş akım değerine sahip olan bu bileşen, hızlı iyileştirme özelliğine (150ns reverse recovery time) ve Sub SMA (DO-219AB) yüzey montajı paketine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu diyot, güç kaynakları, AC-DC dönüştürücüler, LED sürücüleri ve düşük gerilim doğrultma uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 1.3V maksimum ileri voltaj düşümü ve 5µA ters sızıntı akımı ile verimli çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 800mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 50 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 50 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 800 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok