Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN49A1FE(TE85L,F)
PNP + NPN BRT, Q1BSR=2.2KΩ, Q1BE
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- RN49A1FE
RN49A1FE(TE85L,F) Hakkında
RN49A1FE(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli dual transistör dizisidir. Tek pakette 1 adet NPN ve 1 adet PNP transistör içerir. 2.2kΩ ve 22kΩ base dirençleri ile konfigüre edilmiştir. Maximum 100mA collector akımı ve 100mW güç tüketimi ile işaretlenmiştir. 200-250MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygun. 50V breakdown voltajı ve minimum 80 DC current gain (10mA, 5V'de) özelliklerine sahiptir. Surface mount SOT-563 ve SOT-666 paketlerinde mevcuttur. Ses amplifikatörleri, LED driver devreleri, sinyal işleme ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200MHz, 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms, 22kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok