Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN4990FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- RN4990
RN4990FE,LF(CT Hakkında
RN4990FE,LF(CT, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistör dizisidir. Tek bir SOT-563/SOT-666 yüzey montaj paketinde 1 NPN ve 1 PNP transistörü barındırır. Maksimum 100mW güç tüketimi ve 50V Collector-Emitter gerilim dayanımı ile tasarlanmıştır. 4.7kOhm base dirençli ön beslemeli yapısı sayesinde harici bias dirençlerine gerek kalmaksızın kullanılabilir. 250MHz/200MHz transition frequency ile sinyal işleme ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Minimum 120 hFE (DC current gain) ve 300mV saturation voltajı özellikleriyle düşük güç tüketimli dijital ve analog elektronik tasarımlarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz, 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok