Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN4986FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- RN4986FE
RN4986FE,LF(CT Hakkında
RN4986FE,LF(CT, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli dual transistör (Dual Pre-Biased) komponentdir. Bir NPN ve bir PNP transistörden oluşan bu entegre yapı, SOT-563 ve SOT-666 yüzey montajlı paketlerde sunulmaktadır. Maximum 100mW güç tüketimi ile düşük güçlü uygulamalara uygun olup, maksimum 100mA kolektör akımı kapasitesine sahiptir. 250MHz ve 200MHz transition frequency değerleri ile orta hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Dahili 4.7kΩ ve 47kΩ dirençler ile önceden biaslanmış yapısı, basitleştirilmiş devre tasarımı sağlar. Maksimum 50V Vce breakdown voltajı ve 300mV saturation voltajı ile anahtarlama devreleri, sinyal işleme, ön kademeli amplifikasyon ve röle kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz, 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok