Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN4985FE,LXHF(CT
AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2K
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- RN4985
RN4985FE,LXHF(CT Hakkında
RN4985FE,LXHF(CT, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli dual BJT transistör dizisidir. Tek pakette 1 NPN ve 1 PNP transistör içerir. Entegre base ve emitter dirençleri (R1: 2.2kΩ, R2: 47kΩ) ile geçiş karakteristikleri optimize edilmiştir. Maksimum collector akımı 100mA, transition frequency 250MHz ve 200MHz'dir. 50V breakdown voltajı ve 300mW güç sınırlaması ile küçük sinyal amplifikasyon, switch uygulamaları ve dijital lojik arayüz devrelerinde kullanılır. AEC-Q TR otomotiv kalifikasyonuna sahiptir. SOT-563 ve SOT-666 SMD paketlerinde sunulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz, 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok