Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN4985FE,LF(CT
NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- RN4985FE
RN4985FE,LF(CT Hakkında
RN4985FE,LF(CT, Toshiba tarafından üretilen, 1 NPN ve 1 PNP transistörden oluşan ön beslemeli dual transistör dizi komponentdir. SOT-563 ve SOT-666 paketlerinde sunulan bu bileşen, entegre base ve emitter direnç değerlerine (R1: 2.2kOhm, R2: 47kOhm) sahiptir. 100mA'e kadar collector akımını ve 250MHz transition frequency'sini destekler. 100mW maksimum güç yayılması ve 50V collector-emitter breakdown voltajı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, özellikle de hızlı lojik devreler, motor sürücüleri ve ses frekans amplifikatörlerinde kullanılır. Aktif durumda ve SMD paketleme ile kompakt devre tasarımları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz, 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok