Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN2970FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- RN2970FE
RN2970FE(TE85L,F) Hakkında
RN2970FE(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen dual PNP ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-563 ve SOT-666 yüzey montaj paketlerinde sunulan bu komponent, entegre base dirençleri (R1: 4.7kΩ, R2: 10kΩ) ile birlikte gelmektedir. Maksimum 100mA kollektör akımı, 200MHz geçiş frekansı ve 50V collector-emitter dielektrik dayanımı ile karakterize edilir. 100mW güç dissipasyonu kapasitesi ve 120 minimum DC akım kazancı (hFE) ile low-power anahtarlama ve sinyal kontrolü uygulamalarında kullanılır. Özellikle portable elektronik cihazlar, sensör arabirimleri ve lojik seviye yönetimi devrelerinde tercih edilir. Ön beslemeli tasarımı, harici bias dirençlerine olan ihtiyacı azaltarak PCB alanı tasarrufu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok