Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN2969(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Seri / Aile Numarası
- RN2969
RN2969(TE85L,F) Hakkında
RN2969(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen 2 adet PNP ön beslemeli transistörden oluşan entegre bir çip olup, 6-TSSOP (SC-88, SOT-363) yüzey monte paketinde sunulmaktadır. Maksimum 200mW güç tüketimi ile tasarlanan bu komponent, 100mA kollektör akımı ve 200MHz transition frekansında çalışabilmektedir. İç yapısında 47kOhms ve 22kOhms değerinde base ve emitter-base direnç bulunmaktadır. Vce saturation voltajı 300mV (250µA/5mA koşullarında) ve Vce breakdown voltajı maksimum 50V olup, hFE (DC current gain) değeri 70'tir (10mA, 5V koşullarında). Düşük sızıntı akımı (100nA ICBO) sayesinde anahtarlama ve sinyal işleme uygulamalarında, özellikle de küçük sinyal amplifikasyonu ve lojik seviye çevirme devrelerinde kullanılır. Elektronik kontrol, sensör arayüzleri ve genel amaçlı sinyal işleme uygulamalarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200mW |
| Resistor - Base (R1) | 47kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22kOhms |
| Supplier Device Package | US6 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok