Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN2969FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- RN2969FE
RN2969FE(TE85L,F) Hakkında
RN2969FE(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen dual PNP pre-biased transistör dizisidir. SOT-563/ES6 surface mount paketinde sunulan bu bileşen, her bir transistörün entegre edilmiş base ve emitter bağlantı dirençleriyle (R1: 47kΩ, R2: 22kΩ) önceden beslenmiş olma özelliğine sahiptir. Maksimum 100mA collector akımı ve 200MHz transition frekansıyla çalışabilen komponent, düşük güç uygulamalarında (100mW) kullanılır. 50V VCEO breakdown voltajı ve 300mV saturation voltajı ile logic seviye geçişleme, pulse şekillendirme ve anahtar uygulamalarında tercih edilir. Pre-biased yapısı sayesinde harici ön beslenme dirençlerine gerek kalmaz ve PCB alanı tasarrufu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 47kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22kOhms |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok