Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN2961FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- RN2961FE
RN2961FE(TE85L,F) Hakkında
RN2961FE, Toshiba tarafından üretilen dual PNP pre-biased transistör dizisidir. SOT-563 (ES6) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 100mA collector akımı ve 200MHz transition frequency ile çalışır. 4.7kΩ base ve emitter-base direnç içeren ön-beslemeli yapısı sayesinde ayrı bias rezistörlere ihtiyaç duymadan kullanılabilir. 50V breakdown voltajı ve 300mV saturation voltajı ile voltage regulation, switch kontrol ve sinyal seviyesi ayarlama uygulamalarında tercih edilir. Eski üretim (obsolete) olmakla birlikte, legacy sistem tasarımları ve onarım çalışmalarında halen karşılaşılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7kOhms |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok