Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler

RN2911FE(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Paket/Kılıf
SOT-563
Seri / Aile Numarası
RN2911FE

RN2911FE(TE85L,F) Hakkında

RN2911FE(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen dual PNP ön beslemeli (pre-biased) transistör dizisidir. SOT-563 ve SOT-666 yüzey monte paketlerinde sunulan bu komponent, 100mA maksimum kolektör akımı ve 50V yıkılma gerilimi ile çalışır. 10kΩ taban direnci entegre edilen tasarım sayesinde harici ön beslemeli ağlar kurma ihtiyacını ortadan kaldırır. 120 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 300mV maksimum doyma gerilimi ile genel amaçlı anahtarlama ve sürücü uygulamalarında kullanılır. 200MHz geçiş frekansı ve 100mW maksimum güç disipasyonu ile sinyal işleme ve mantık seviyeleri kontrol devrelerinde yaygın olarak yer alır. Tüketici elektroniği, mobil cihazlar ve oto-idari sistemlerde görev yapar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition 200MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Part Status Active
Power - Max 100mW
Resistor - Base (R1) 10kOhms
Supplier Device Package ES6
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok