Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN2910FE,LF(CT
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- RN2910
RN2910FE,LF(CT Hakkında
RN2910FE,LF(CT, Toshiba tarafından üretilen dual PNP ön beslemeli transistör dizisidir. Surface mount SOT-563 paketinde sunulan bu komponent, 100mW güç kapasitesi ve 100mA collector akımı ile çalışır. İçerisinde 4.7kOhm base direnci bulunması sayesinde ön beslenme özelliği sağlar. 200MHz transition frequency ile orta hızlı uygulamalarda kullanılabilir. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 300mV saturation voltajı ile kontrollü anahtarlama işlemlerine uygundur. Sinyal işleme, darbe kuvvetlendirme ve düşük güçlü lojik devre uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok