Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN2909FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- RN2909
RN2909FE(TE85L,F) Hakkında
RN2909FE(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli dual PNP transistör dizisidir. SOT-563/SOT-666 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 100mA maksimum kolektör akımı ve 200MHz transition frequency özelliğine sahiptir. Dahili 47kΩ base ve 22kΩ emitter-base dirençleri ile önceden ayarlanmış yapı sayesinde, doğrudan uygulama tasarımlarına entegre edilebilir. 50V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 300mV saturation voltajı ile lojik seviyeleri anahtarlamada, ses işaretlerinin amplifikasyonunda ve düşük gücü çalışmalarda kullanılır. Maksimum 100mW güç yönetimi kapasitesi ile taşınabilir cihazlar, endüstriyel kontrolcüler ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 47kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22kOhms |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok