Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN2906FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- RN2906FE
RN2906FE(TE85L,F) Hakkında
RN2906FE(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen dual PNP ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-563 ve SOT-666 paketlerde sunulan bu komponent, 100mW güç tüketimine ve 50V Collector-Emitter diyelectric dayanımına sahiptir. 200MHz transition frequency ile yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. Entegre 4.7kΩ base ve 47kΩ emitter-base dirençleriyle ön beslemeli konfigürasyonda çalışır. Maksimum 100mA collector akımı ve 80 minimum DC akım kazancı (hFE) ile sinyal işleme, darbe şekillendirme ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. 300mV saturation voltajı ile logic seviyeleri arasında etkili geçiş sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok