Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN2906FE,LF(CT
PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- RN2906
RN2906FE,LF(CT Hakkında
RN2906FE,LF(CT, Toshiba tarafından üretilen dual PNP ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-563/SOT-666 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, her transistöre entegre edilmiş 4.7kΩ ve 47kΩ base-emitter bias dirençleri içerir. 100mA kollektör akımı, 200MHz geçiş frekansı ve 50V kollektör-emitter breakdown voltajı ile çalışır. 80 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 300mV maksimum Vce doyma voltajı özellikleri vardır. Düşük güç tüketimi (100mW max) ve entegre direnç yapısı sayesinde logic seviyesi anahtarlaması, PWM sürücüsü ve sinyal amplifikasyonu gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok