Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler

RN2904FE,LF

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Üretici: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Paket/Kılıf: SOT-563
Kategori: Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
Seri / Aile Numarası: RN2904

RN2904FE,LF Hakkında

RN2904FE,LF, Toshiba tarafından üretilen dual PNP ön beslemeli transistör dizisidir. Surface mount ES6 paketinde sunulan bu komponent, entegre olarak tasarlanmış iki adet PNP transistör ve polarizasyon dirençlerini içerir. Her transistör 47kΩ base ve 47kΩ emitter-base dirençleriyle önceden yüklenmiş haldedir.

Temel özellikler: 100mA maksimum kolektör akımı, 200MHz geçiş frekansı, 50V kolektör-emitter kırılma gerilimi ve 100mW maksimum güç disipasyonu. DC akım kazancı (hFE) minimum 80 (10mA/5V koşullarında) ve doyum gerilimi maksimum 300mV (250µA/5mA koşullarında) olarak belirtilmiştir.

Ön beslemeli tasarımı sayesinde anahtarlama uygulamalarında sürücü devrelerine ihtiyacı azaltır. Gürültü temizleme, lojik seviye düşürme ve sinyal anahtarlama gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre	Değer
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition	200MHz
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	SOT-563, SOT-666
Part Status	Active
Power - Max	100mW
Resistor - Base (R1)	47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	47kOhms
Supplier Device Package	ES6
Transistor Type	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok