Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN2901FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- RN2901FE
RN2901FE(TE85L,F) Hakkında
RN2901FE(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen dual PNP ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-563/SOT-666 yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, 100mW güç kapasitesi ve 200MHz transition frekansı ile çalışır. Her transistör 4.7kΩ base ve emitter-base dirençleri ile ön beslenmiş yapıya sahiptir. 100mA collector akımı, 50V Vce breakdown voltajı ve 300mV saturation voltajı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Portatif cihazlar, ses devreleri ve kontrol elektronikleri gibi düşük güç uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7kOhms |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok