Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler

RN2713JE(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Paket/Kılıf
SOT-553
Seri / Aile Numarası
RN2713

RN2713JE(TE85L,F) Hakkında

RN2713JE(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli dual PNP transistör dizisidir. SOT-553 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, her transistör içinde 47kΩ baz direnci barındırır ve emitter-coupled konfigürasyonunda çalışır. 100mW güç kapasitesi ve 50V maksimum collector-emitter gerilimi ile genel amaçlı ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. 200MHz transition frequency'si ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun olup, 300mV saturation voltajı düşük güç kaybı sağlar. Özellikle darbe şekillendirme, mantık devreler ve karşılaştırıcı tasarımlarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition 200MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-553
Part Status Active
Power - Max 100mW
Resistor - Base (R1) 47kOhms
Supplier Device Package ESV
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok