Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN2712JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
- Paket/Kılıf
- SOT-553
- Seri / Aile Numarası
- RN2712JE
RN2712JE(TE85L,F) Hakkında
RN2712JE(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli dual PNP transistör dizisidir. SOT-553 yüzey montajlı paket içinde, emitter çifti konfigürasyonda iki adet PNP transistör bulunur. Her transistör 22kΩ baz direnci ile önceden yapılandırılmıştır. Maksimum 100mA kollektör akımı, 200MHz geçiş frekansı ve 50V kırılma gerilimi özellikleriyle kompakt uygulamalara uygundur. 100mW güç dağıtımı kapasitesi ile sinyal değiştirme, impuls şekillendirme ve hızlı anahtarlama devrelerinde kullanılır. Düşük saturasyon gerilimi (300mV) ve yüksek akım kazancı (hFE: 120) sayesinde güvenilir lojik seviye uygulamaları ve ses işleme devrelerinde tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-553 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 22kOhms |
| Supplier Device Package | ESV |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok