Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN2710JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
- Paket/Kılıf
- SOT-553
- Seri / Aile Numarası
- RN2710JE
RN2710JE(TE85L,F) Hakkında
RN2710JE(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen çift PNP ön beslemeli transistördür (emitter coupled configuration). SOT-553 yüzeye monte paketi içinde iki adet PNP transistörü barındırır. 100mW güç kapasitesi, 200MHz transition frequency ve 50V maximum collector-emitter voltajı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4.7kΩ entegre baz direnci sayesinde ön beslemeli konfigürasyonda harici bileşen gereksinimleri azalır. Sinyallenme, darbe şekillendirme, lojik seviyeleri uyarlama ve düşük güçlü anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 1mA'de 120 minimum DC gain ve 300mV saturation voltajı ile sağlam komutasyon özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-553 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Supplier Device Package | ESV |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok