Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler

RN2709JE(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Paket/Kılıf
SOT-553
Seri / Aile Numarası
RN2709

RN2709JE(TE85L,F) Hakkında

RN2709JE(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen dual PNP ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-553 yüzey montajlı pakette sunulan bu komponent, iki adet PNP transistörü entegre edilmiş yapıda ve emitter-coupled konfigürasyonunda tasarlanmıştır.

Teknik Özellikleri:
- Maksimum collector akımı: 100mA
- Maksimum güç: 100mW
- DC akım kazancı (hFE): 70 (Min) @ 10mA, 5V
- Transition frequency: 200MHz
- Vce saturation: 300mV (Max) @ 250µA, 5mA
- Collector-emitter breakdown voltajı: 50V
- Dahili base direnci (R1): 47kΩ
- Dahili emitter-base direnci (R2): 22kΩ

Ön beslemeli yapısı sayesinde, sinyal işleme, darbe devreleri ve düşük-orta seviye amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Kompakt SMD paketi PCB alanı tasarrufu sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 200MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-553
Part Status Active
Power - Max 100mW
Resistor - Base (R1) 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 22kOhms
Supplier Device Package ESV
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok