Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN2701JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
- Paket/Kılıf
- SOT-553
- Seri / Aile Numarası
- RN2701
RN2701JE(TE85L,F) Hakkında
RN2701JE(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen dual PNP ön beslemeli (pre-biased) transistör dizisidir. SOT-553 yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, emitter kuplajlı yapıda 2 adet PNP transistörü içerir. Her transistörde entegre 4.7kΩ temel direnci ve 4.7kΩ emitter direnci bulunur. 100mA maksimum kolektör akımı, 200MHz transition frekansı ve 50V breakdown voltajı ile çalışır. 100mW maksimum güç tüketimi ile ses amplifikatörleri, sinyal işleme devreleri ve kontrol uygulamalarında kullanılır. Ön beslemeli yapısı sayesinde harici bias dirençleri gerektirmez, PCB alanı tasarrufu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-553 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7kOhms |
| Supplier Device Package | ESV |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok