Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN2427TE85LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- RN2427
RN2427TE85LF Hakkında
RN2427TE85LF, Toshiba tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bir BJT transistördür. 50V dağılım gerilimi ve 800mA maksimum kolektör akımı ile çalışır. Entegre baz direnci (2.2 kΩ) ve emitter baz direnci (10 kΩ) içeren bu komponent, hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 200 MHz transition frequency ile yüksek hızlı lojik devreler, sürücü devreler ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. SOT-23 SMD paketinde sunulan bu transistör, kompakt tasarımlar gerektiren mobil cihazlar, bilgisayar donanımları ve tüketici elektroniğinde yaygın olarak yer bulur. 200mW güç sınırlaması ile düşük güç tüketimli devrelere uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok