Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN2426(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- RN2426
RN2426(TE85L,F) Hakkında
RN2426(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli PNP bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 50V kolektör-emitter gerilimi ve 0.8A kolektör akımı ile çalışabilir. 200 MHz geçiş frekansı sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. İç yapısında 1kΩ taban direnci (R1) ve 10kΩ emitter-taban direnci (R2) bulunan bu transistör, ön önyükleme (pre-bias) özelliği ile doğrudan kullanıma hazırdır. Maksimum 200mW güç tüketimine sahiptir. Entegre direnç yapısı sayesinde ayrı biyaslandırma dirençleri gerekmez. Hassas anahtarlama devreleri, darbe devresi uygulamaları ve sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. DC akım kazancı 100mA kolektör akımında minimum 90'dır. Düşük doyum gerilimi (250mV @ 1mA, 50mA) ile enerji verimliliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok