Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN2424(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- RN2424
RN2424(TE85L,F) Hakkında
RN2424(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli PNP bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan bu komponent, 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 800mA maksimum collector akımı ile çalışmaktadır. Transistör, 10kΩ base ve 10kΩ emitter-base direnç ile dahili olarak ön beslenmiş durumdadır. 200MHz transition frekansı ile yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. DC akım kazancı 100mA collector akımında ve 1V Vce'de minimum 90 değerindedir. 250mV doyum gerilimi (1mA Ib, 50mA Ic'de) ile düşük güç kaybı sağlar. 200mW maksimum güç tüketimi ile kompakt ve enerji verimli tasarımlar için idealdir. Sinyal işleme, anahtar uygulamaları ve düşük güçlü amplifikasyon devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok