Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN2422TE85LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- RN2422
RN2422TE85LF Hakkında
RN2422TE85LF, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli PNP bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan bu komponent, 50V kollektör-emitter breakdown voltajı ve 800mA maksimum kollektör akımı ile çalışır. Dahili 2.2 kOhms baz ve 2.2 kOhms emitter-baz dirençleri ile ön beslemeli tasarımı sayesinde harici biyaslandırma dirençlerine ihtiyaç duymadan kullanılabilir. 200 MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun olup, 200mW maksimum güç tüketimi ile düşük güç tasarımlarında tercih edilir. Sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve lojik uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bir komponenttir. DC current gain minimum 65 (100mA, 1V koşulunda) sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 65 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok