Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

RN2417(TE85L,F)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
RN2417

RN2417(TE85L,F) Hakkında

RN2417 Toshiba üretimi PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 10kΩ base ve 4.7kΩ emitter-base dirençleri ile entegre edilmiş haldedir. 200 MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur. Tüketici elektroniği, sinyal işleme devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Maksimum güç tüketimi 200mW olup, 30 minimum DC current gain sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 200 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 kOhms
Supplier Device Package S-Mini
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok