Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN2415(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- RN2415
RN2415(TE85L,F) Hakkında
RN2415(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen PNP tipinde ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. TO-236-3/SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 100mA kolektör akımı ve 50V collector-emitter gerilimi ile çalışabilir. 2.2kΩ base ve 10kΩ emitter-base dirençleri entegre olarak bulunmaktadır. 200MHz transition frequency özelliğine sahip olan RN2415, 200mW maksimum güç tüketimi ile düşük sinyal anahtarlama uygulamalarında, özellikle lojik seviyeleri sürülen anahtarlama devrelerinde, röle kontrol ve dijital giriş/çıkış uygulamalarında kullanılır. DC current gain (hFE) değeri 10mA, 5V koşullarında minimum 50'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok