Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN2412TE85LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- RN2412
RN2412TE85LF Hakkında
RN2412TE85LF, Toshiba tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 50V kollektör-emiter gerilimi ile çalışmak üzere tasarlanmıştır. 100mA maksimum kollektör akımına ve 200 MHz transition frekansına sahiptir. Transistör içerisine entegre edilmiş 22kΩ base direnci bulunmaktadır. 200mW maksimum güç tüketimi ile düşük güç uygulamalarında kullanılabilir. Kurulumu ve biasing işlemlerini basitleştiren ön beslemeli tasarımı sayesinde anahtarlama devre uygulamalarında, darbe üreteçlerinde ve küçük sinyal amplifikasyonunda tercih edilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 120 değerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok