Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN2410,LXHF
AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7K, VCEO=
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- RN2410
RN2410,LXHF Hakkında
RN2410,LXHF, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli PNP BJT transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan bu komponent, otomotiv standartları (AEC-Q) karşılayan bir çözümdür. 4.7 kOhms entegre base resistörü ile birlikte gelen transistör, 100 mA maksimum kollektör akımı ve 50 V VCEO (Collector-Emitter Breakdown Voltage) ile çalışır. 200 MHz transition frequency ve 120 minimum DC current gain (hFE) özellikleriyle kontrol devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve sinyal amplifikasyonunda kullanılır. 200 mW maksimum güç dağılımı ile düşük güç gereksinimi olan devrelerde tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok