Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

RN2407,LF

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
RN2407

RN2407,LF Hakkında

RN2407,LF, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli PNP bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışır. Dahili 10kΩ base ve 47kΩ emitter-base dirençleriyle önceden yapılandırılmıştır. 200MHz transition frequency'si ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 80 minimum DC current gain (hFE), 300mV maksimum VCE(sat) değerleri ve 200mW maksimum güç disipasyonu ile genel amaçlı amplifikasyon, anahtarlama ve lojik devrelerinde tercih edilir. Düşük güçlü sinyal işleme, ses uygulamaları ve ön kademesi amplifikasyonda uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 200 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Supplier Device Package S-Mini
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok