Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN2318(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Seri / Aile Numarası
- RN2318
RN2318(TE85L,F) Hakkında
RN2318(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SC-70 (SOT-323) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, entegre base ve emitter dirençleriyle (sırasıyla 47kΩ ve 10kΩ) hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 50V kolektör-emitter voltajına ve 100mA maksimum kolektör akımına sahip olan RN2318, dijital sinyal işleme, anahtarlama devreler, voltaj regülatörleri ve aktif filtreler gibi uygulamalarda kullanılır. 200MHz transition frequency ile yüksek frekanslı devrelerde çalışabilir. 100mW güç disipasyonu kapasitesi ve kompakt SC-70 paketi ile bu transistör, özellikle Alan Programlanabilir Kapı Dizileri (FPGA), mikrodenetleyiciler ve diğer dijital entegreler ile birlikte kullanım için uygun olup, sinyal seviyesi dönüştürücüleri ve lojik arayüz uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100 mW |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SC-70 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok