Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN2314(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Seri / Aile Numarası
- RN2314
RN2314(TE85L,F) Hakkında
RN2314(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar junction transistördür. SC-70/SOT-323 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 100mA collector akımı ve 50V Vce(max) değerleriyle çalışır. İçerisinde entegre 1kΩ base direnci ve 10kΩ emitter base direnci bulunur. 200MHz transition frekansı ve 100mW maksimum güç derecelendirmesiyle düşük sinyal amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Özellikle kompakt tasarım gerektiren portatif cihazlar, tüketici elektroniği ve endüstriyel kontrol devreleri için uygun bir seçenektir. DC current gain değeri 10mA akımda 50 (minimum) olarak belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SC-70 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok