Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN2309(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Seri / Aile Numarası
- RN2309
RN2309(TE85L,F) Hakkında
RN2309(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen PNP ön beslemeli (pre-biased) bipolar junction transistördür. SC-70 (SOT-323) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 100mA collector akımıyla çalışmaktadır. İçerisinde 47kΩ base direnci ve 22kΩ emitter-base direnci bulunmakta olup, DC akım kazancı minimum 70'tir. 200MHz transition frequency ve 100mW maksimum güç derecelendirilmesiyle küçük sinyal işleme uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve düşük güç seviyeli kontrol sistemlerinde kullanılabilir. Ön beslemeli yapısı sayesinde harici bias dirençlerine gerek duymadan doğrudan kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100 mW |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | SC-70 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok