Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN2308(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Seri / Aile Numarası
- RN2308
RN2308(TE85L,F) Hakkında
RN2308(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar junction transistördür. SC-70/SOT-323 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 100 mA kolektör akımı ve 50 V kırılma geriliminde çalışabilir. Entegre 22 kΩ taban direnci ve 47 kΩ emitter-taban direnci ile donatılmış olup, 80'lik minimum DC akım kazancı (hFE @ 10mA, 5V) sağlar. 200 MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 100 mW maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. İçeride yükseltilmiş taban direnci sayesinde harici biyaslandırma devrelerine ihtiyaç duymadan doğrudan mantık devreleri, sürücü uygulamaları ve sinyal anahtarlama işlemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SC-70 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok